穩定旋轉的支架帶動晶片表面的氣體分子形成湍流圖案，對提高退火的均勻性有重要作用。后一種工作形式雖然在溫度測控精度和退火均勻性上有很大優勢，但是在結構設計和控制系統設計上非常復雜，所以其價格相當昂貴，很多半導體廠商望而卻步。目前國內只有SMIC等高端IC生產線在使用，其他IC廠商普遍采用前一種快速退火爐系統。

  在國外，由于半導體工業的快速發展，真空回火爐系統的研究起步較早。世界上第一個實用的快速退火爐系統由美國最大的半導體制造商瓦里安公司于1981年推出。目前國外快速退火爐的主要生產和研究單位是美國的MPT、應用材料、AG、馬特森等公司；德國的AST，法國的JIPELEC等。這些公司一般采用光輻射加熱方式。

  主要有兩種技術:一種是以美國AG、MPT、AST等公司為代表的單點測溫技術，另一種是以線光源(燈管)為熱源的雙面加熱方式，利用紅外熱輻射加熱原理直接加熱硅片實現。另一個是美國應用材料公司獨有的多點側浸技術。熱源為點光源(燈泡)，單面加熱方式。球形燈泡發出的光通過高透射率的應時窗進入反應室，加熱硅片支撐環上的硅片。溫度信號的側檢測由多個響應時間非常快的紅外探頭實時檢測，加熱過程中晶圓高速旋轉，使得晶圓表面與反應氣體的接觸幾率幾乎相同。