石墨熱場材料具有機械強度高、熱收縮率低、耐高溫、金屬雜質含量低即純度高等優點。廣泛應用于單晶硅直拉爐、硅半導體晶體生長爐、碳化硅半導體晶體生長爐、光纖拉絲爐、藍寶石晶體生長爐等高溫領域。但在第三代半導體碳化硅生長爐中使用石墨熱場 material時，部分石墨碳容易受到高溫熱沖擊而滲出，從而影響碳化硅晶體的生長。同時，一些雜質的滲入會影響碳化硅的純度，導致材料應力開裂。因此石墨熱場 material常采用耐高溫陶瓷材料處理，防止碳元素和雜質對晶體生長的影響。